半導體寬譜光源在傳感、光譜學、生物醫(yī)學成像等方面具有廣泛的應用前景，但目前所采用的發(fā)光管（LEDs）和超輻射二極管（SLD）因其發(fā)射功率低而有所局限，所以研發(fā)大功率的寬譜激光器具有重要意義。

    最近，中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室潘教青研究員在指導研究生從事大功率激光器研究中，設計并實現(xiàn)了一種含隧道結構的大功率量子阱激光器寬譜光源。其初步研究結果以Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser 為題發(fā)表在Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, （2014）上。該研究報道被國際雜志Nature Photonics（2014年9月1日出版）作為十大“亮點論文”進行了報道，稱該項研究對超短脈沖光源和多波長調諧光源方面的研究具有重要意義。

　　該研究和通常的發(fā)光二極管、激光二極管的不同點在于其采用MOCVD方法生長InGaAs/GaAs量子阱有源區(qū)時，增加了GaAs的反向隧道結構，提高了器件的增益和特征溫度。第一次實現(xiàn)了InGaAs/GaAs 量子阱的寬譜激光器，中心波長1060 nm，脈沖激射功率50 mW，光譜寬度為38 nm。此項研究對寬譜激光源的大功率輸出、降低成本、促進寬譜光源技術發(fā)展具有重要意義。

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    Nature Photonics 報道鏈接 

半導體所設計并實現(xiàn)了一種含隧道結構的大功率量子阱激光器寬譜光源